الأدوار الرئيسية الثلاثة للدوائر MOSFET

تستخدم MOSFET بشكل شائع ثلاثة أدوار رئيسية هي دوائر التضخيم، وإخراج التيار الثابت، وتبديل التوصيل.

1، دائرة التضخيم

يتمتع MOSFET بممانعة دخل عالية، وضوضاء منخفضة وخصائص أخرى، لذلك عادة ما يستخدم كمضخم متعدد المراحل لمرحلة الإدخال الحالية، كما هو الحال مع الترانزستور، وفقًا لدوائر الإدخال والإخراج للنهاية المشتركة للاختيار مختلفة، يمكن تقسيمها إلى ثلاث حالات لدائرة التفريغموسفيتعلى التوالي، المصدر المشترك والتسرب العام والبوابة المشتركة. يوضح الشكل التالي دائرة تضخيم المصدر المشترك MOSFET، حيث Rg هي مقاومة البوابة، ويتم إضافة انخفاض جهد Rs إلى البوابة؛ Rd هو مقاوم التصريف، حيث يتم تحويل تيار التصريف إلى جهد التصريف، مما يؤثر على مضاعف التضخيم Au؛ Rs هو مصدر المقاومة، مما يوفر جهدًا متحيزًا للبوابة؛ C3 هو المكثف الالتفافي، مما يزيل توهين إشارة التيار المتردد بمقدار Rs.

2، دائرة المصدر الحالية

يستخدم مصدر التيار الثابت على نطاق واسع في الاختبارات المترولوجية، كما هو موضح في الشكل أدناه، ويتكون بشكل أساسي منموسفيتدائرة مصدر تيار ثابت، والتي يمكن استخدامها كعملية ضبط مقياس مغناطيسي كهربائي. نظرًا لأن MOSFET عبارة عن جهاز تحكم من نوع الجهد الكهربي، فإن بوابته لا تستقبل تيارًا تقريبًا، وتكون مقاومة الإدخال عالية جدًا. إذا كان هناك رغبة في الحصول على خرج تيار ثابت كبير لتحسين الدقة، فيمكن استخدام مجموعة من المصدر المرجعي والمقارنة للحصول على التأثير المطلوب.

3، دائرة التبديل

أهم دور لـ MOSFET هو دور التبديل. التبديل، معظم التحكم الإلكتروني المتنوع في الحمل، تبديل مصدر الطاقة، إلخ. الميزة الأكثر أهمية لأنبوب MOS هي خصائص التبديل الجيدة، من أجلNMOS، VGS أكبر من قيمة معينة سوف يتم إجراؤها، تنطبق على حالة المصدر المؤرض، أي ما يسمى بالمحرك المنخفض، طالما يمكن أن يكون جهد البوابة 4 فولت أو 10 فولت. بالنسبة لـ PMOS، من ناحية أخرى، سيتم إجراء Vgs أقل من قيمة معينة، وهو ما ينطبق على الحالة عندما يكون المصدر مؤرضًا بـ VCC، أي محرك الأقراص عالي الجودة. على الرغم من أنه يمكن استخدام PMOS بسهولة كمحرك متطور، إلا أن NMOS يستخدم عادة في برامج التشغيل المتطورة بسبب المقاومة العالية والسعر المرتفع وأنواع الاستبدال القليلة.

بالإضافة إلى الأدوار الرئيسية الثلاثة المذكورة أعلاه، يمكن أيضًا استخدام الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) كمقاومات متغيرة لتحقيق مقاومات يتم التحكم فيها بالجهد، ولها أيضًا العديد من التطبيقات.