دور الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) في الدوائر

الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومةتلعب دورافي تبديل الدوائرهو التحكم في الدائرة وإيقافها وتحويل الإشارة.الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة يمكن تقسيمها بشكل عام إلى فئتين: قناة N وقناة P.

في قناة Nموسفيتالدائرة، يكون دبوس BEEP مرتفعًا لتمكين استجابة الجرس، ومنخفضًا لإيقاف تشغيل الجرس. قناة Pموسفيتللتحكم في مصدر طاقة وحدة GPS وإيقاف تشغيله، يكون دبوس GPS_PWR منخفضًا عند التشغيل، وتكون وحدة GPS كذلك إمدادات الطاقة العادية، وعالية لإيقاف تشغيل وحدة GPS.

قناة فموسفيتفي الركيزة السيليكونية من النوع N في المنطقة P + لها نوعان: الصرف والمصدر. هذان القطبان غير موصلين لبعضهما البعض، عندما يكون هناك ما يكفي من الجهد الإيجابي المضاف إلى المصدر عند التأريض، سيظهر سطح السيليكون من النوع N أسفل البوابة كطبقة معكوسة من النوع P، في قناة تربط المصرف والمصدر . يؤدي تغيير الجهد عند البوابة إلى تغيير كثافة الثقوب الموجودة في القناة، وبالتالي تغيير مقاومة القناة. وهذا ما يسمى ترانزستور تأثير مجال تعزيز القناة P.

خصائص NMOS، سيتم تشغيل Vgs طالما أنها أكبر من قيمة معينة، تنطبق على حالة محرك الأقراص المنخفض المؤرض بالمصدر، بشرط أن يكون جهد البوابة 4 فولت أو 10 فولت على الخط.

سيتم تشغيل خصائص PMOS، على عكس NMOS، طالما أن Vgs أقل من قيمة معينة، وهي مناسبة للاستخدام في حالة محرك الأقراص عالي الجودة عندما يكون المصدر متصلاً بـ VCC. ومع ذلك، نظرًا للعدد الصغير من أنواع الاستبدال، والمقاومة العالية والسعر المرتفع، على الرغم من أنه يمكن استخدام PMOS بشكل مريح للغاية في حالة محرك الأقراص المتطور، لذلك في محرك الأقراص المتطور، لا يزال يستخدم NMOS بشكل عام.

إجمالي،الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومةتتمتع بممانعة دخل عالية، وتسهل الاقتران المباشر في الدوائر، ومن السهل نسبيًا تصنيعها في دوائر متكاملة واسعة النطاق.