العلاقة بين الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) وترانزستورات التأثير الميداني

لقد وصلت صناعة المكونات الإلكترونية إلى ما هي عليه الآن دون مساعدة منالدوائر المتكاملة منخفضة المقاومةوترانزستورات التأثير الميداني. ومع ذلك، بالنسبة لبعض الأشخاص الجدد في صناعة الإلكترونيات، غالبًا ما يكون من السهل الخلط بين دوائر MOSFET وترانزستورات التأثير الميداني. ما هي العلاقة وراء ترانزستورات MOSFET وترانزستورات التأثير الميداني؟ هل MOSFET ترانزستور ذو تأثير ميداني أم لا؟

في الواقع، وفقًا لإدراج هذه المكونات الإلكترونية، قال MOSFET إن ترانزستور التأثير الميداني لا يمثل مشكلة، ولكن العكس ليس صحيحًا، أي أن ترانزستور التأثير الميداني لا يشمل MOSFET فحسب، بل يشمل أيضًا المكونات الإلكترونية الأخرى.

يمكن تقسيم ترانزستورات التأثير الميداني إلى أنابيب توصيل ووحدات MOSFET. بالمقارنة مع الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET)، يتم استخدام أنابيب الوصلات بشكل أقل تكرارًا، وبالتالي فإن تكرار ذكر أنابيب الوصلات منخفض جدًا أيضًا، وغالبًا ما يتم ذكر الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) والترانزستورات ذات التأثير الميداني، لذلك من السهل إعطاء سوء فهم بأنهما من نفس النوع من المكونات.

موسفيتيمكن تقسيمها إلى نوع التعزيز ونوع الاستنفاد، ومبدأ العمل لهذين المكونين الإلكترونيين مختلف قليلاً، وأنبوب نوع التعزيز في البوابة (G) بالإضافة إلى الجهد الإيجابي، والصرف (D) والمصدر (S) من أجل السلوك، في حين أن نوع الاستنفاد حتى لو لم تتم إضافة البوابة (G) إلى الجهد الموجب، فإن المصرف (D) والمصدر (S) يكونان موصلين أيضًا.

هنا لم ينته تصنيف ترانزستور التأثير الميداني، حيث يمكن تقسيم كل نوع من الأنابيب إلى أنابيب من النوع N وأنابيب من النوع P، وبالتالي يمكن تقسيم ترانزستور التأثير الميداني إلى ستة أنواع من الأنابيب أدناه، على التوالي، قناة N ترانزستورات تأثير مجال الوصلة، ترانزستورات تأثير مجال الوصلة P، ترانزستورات تأثير مجال الوصلة N، ترانزستورات تأثير مجال الوصلة P، ترانزستورات تأثير حقل الوصلة N، ترانزستورات تأثير حقل الوصلة N، ترانزستورات تأثير حقل الوصلة P-channel اكتب ترانزستورات التأثير الميداني.

يختلف كل مكون في مخطط الدائرة عن رموز الدائرة، على سبيل المثال، تسرد الصورة التالية رموز الدائرة لنوعي أنابيب الوصلات، سهم الدبوس رقم 2 الذي يشير إلى الأنبوب الخاص بترانزستور تأثير مجال الوصلة N-channel ، الذي يشير إلى الخارج هو ترانزستور تأثير مجال الوصلة P-channel.

موسفيتولا يزال اختلاف رمز دائرة أنبوب الوصلات كبيرًا نسبيًا، ترانزستور تأثير المجال من نوع استنفاد القناة N وترانزستور تأثير المجال من نوع استنفاد القناة P، نفس السهم الذي يشير إلى الأنبوب للنوع N، يشير إلى الخارج هو الأنبوب من النوع P . وبالمثل، فإن التمييز بين ترانزستورات تأثير المجال من نوع تحسين القناة N وترانزستورات تأثير المجال من نوع تحسين القناة P يعتمد أيضًا على توجيه السهم، والإشارة إلى الأنبوب من النوع N، والإشارة إلى الخارج من النوع P.

ترانزستورات تأثير مجال التعزيز (بما في ذلك أنبوب من النوع N وأنبوب من النوع P) وترانزستورات تأثير مجال الاستنفاد (بما في ذلك أنبوب من النوع N وأنبوب من النوع P) قريبة جدًا. الفرق بين الاثنين هو أن أحد الرمزين يمثله خط متقطع والآخر بخط متصل. يشير الخط المنقط إلى ترانزستور تأثير المجال المعزز ويشير الخط الصلب إلى ترانزستور تأثير المجال المستنفد.