النظرية الموازية للدوائر MOSFET والترانزستورات

حول النظرية الأساسية لتوازي الترانزستورات ودوائر MOSFET: أولاً، الترانزستورات لها قيمة درجة حرارة أسية سالبة، أي أنه عندما ترتفع درجة حرارة الترانزستور نفسه، ستصبح المقاومة أصغر. ثانيًا، تتمتع الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) بقيمة درجة حرارة أسية موجبة على عكس الترانزستورات، مما يعني أنه عندما ترتفع درجة الحرارة، ستزداد المقاومة ببطء.

بالمقارنة مع الترانزستورات، تعتبر الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) في الواقع أكثر ملاءمة لموازنة التيار في دوائر الطاقة المتوازية. لذلك عندما يكون التيار في دائرة إمداد الطاقة كبيرًا نسبيًا، نوصي عمومًا باستخدام دوائر MOSFET المتوازية للتحويل. عندما نختار دوائر MOSFET لمعادلة التيار، وبطريقة ما يتجاوز التيار تيار MOSFET في الاتجاه الآخر، فإن تيار MOSFET الناتج عن حرارة الدوائر المتكاملة MOSFET الكبيرة، مما سيؤدي إلى زيادة مقاومة التشغيل والإيقاف ، والحد من خفض التيار؛ تعتمد الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) على الفرق في التيار لضبطها باستمرار، وفي النهاية تحقيق التوازن الحالي بين الاثنينالدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة.

أحد الأشياء التي يجب أن نلاحظها: يمكن أيضًا توصيل الترانزستورات على التوازي لإكمال تدفق البضائع ذات التيار العالي، ولكن بعد ذلك تحتاج أيضًا إلى الاعتماد على قاعدة محرك سلسلة المقاوم للتعامل مع التوازن الحالي لكل منها. الترانزستور الموازي في منتصف المشكلة.

المشاكل الشائعة للاتصال المتوازي للترانزستور:

(1)، لا يمكن توصيل بوابة كل ترانزستور مباشرة بكل مقاوم محرك على التوالي لتنفيذ محرك الأقراص، وذلك لتجنب التذبذب.

(2) للتعامل مع كل ترانزستور(موسفيت)وقت الفتح ووقت الإغلاق للحفاظ على الاتساق، لأنه إذا لم يكن متسقًا، فسيتم تدمير أول خط أنابيب مفتوح أو إغلاق خط الأنابيب بسبب اختراق التيار الزائد.

(3)، وأخيرا، نود أن نكون قادرين على مصدر كل ترانزستور على التوالي مع المقاوم المعادل، بالطبع، ليس من الضروري القيام به، فقط في حالة.

أصبحت Olueky واحدة من أفضل الوكلاء وأسرعهم نموًا في آسيا من خلال التطوير القوي للسوق والتكامل الفعال للموارد. أن تصبح الوكيل الأكثر قيمة في العالم هوأولوكيهدف.