ما هو مبدأ تشغيل MOSFET؟

MOSFET (اختصار FieldEffect Transistor (FET)) عنوانموسفيت. بواسطة عدد صغير من الناقلات للمشاركة في التوصيل الحراري، المعروف أيضًا باسم ترانزستور الوصلة متعدد الأقطاب. يتم تصنيفه على أنه جهاز شبه موصل فائق الجهد يتم التحكم فيه. مقاومة الإخراج الحالية عالية (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω) ، ضوضاء منخفضة ، استهلاك منخفض للطاقة ، نطاق ثابت ، سهل التكامل ، لا توجد ظاهرة انهيار ثانية ، مهمة التأمين للبحر الواسع والمزايا الأخرى ، قد غيرت الآن ترانزستور تقاطع ثنائي القطب وترانزستور تقاطع الطاقة للمتعاونين الأقوياء.

خصائص MOSFET

أولاً: MOSFET هو جهاز للتحكم في الجهد، حيث يتم من خلال VGS (بوابة مصدر الجهد) إلى المعرف الرئيسي (استنزاف التيار المستمر)؛

ثانية:موسفيتخرج DC صغير جدًا، لذا فإن مقاومة الخرج كبيرة جدًا.

ثالثاً: يتم تطبيق عدد قليل من الناقلات لتوصيل الحرارة، وبالتالي يكون لديه قدر أفضل من الاستقرار؛

رابعاً: يتكون من مسار مختزل كهربائي للتخفيض من معاملات صغيرة ليكون أصغر من الترانزستور يتكون من مسار مختزل كهربائي من معاملات صغيرة؛

خامساً: قوة MOSFET المضادة للإشعاع؛

سادساً: لعدم وجود نشاط معيب لتشتت الأقلية الناتج عن تناثر جزيئات الضوضاء، لأن الضوضاء منخفضة.

مبدأ مهمة MOSFET

موسفيتمبدأ المهمة في جملة واحدة، هو "الصرف - مصدر السير عبر القناة بين المعرف، مع القطب والقناة بين pn التي تم بناؤها في جهد قطب كهربائي متحيز عكسي لإتقان المعرف". بشكل أكثر دقة، فإن سعة المعرف عبر الدائرة، أي مساحة المقطع العرضي للقناة، هي من خلال تقاطع pn للتباين المضاد، وحدوث طبقة النضوب لتوسيع تباين إتقان السبب. في البحر غير المشبع لـ VGS=0، لا يكون تمدد الطبقة الانتقالية المشار إليها كبيرًا جدًا لأنه وفقًا للمجال المغناطيسي لـ VDS المضاف بين مصدر الصرف، يتم سحب بعض الإلكترونات الموجودة في بحر المصدر بعيدًا عن طريق الصرف ، أي أن هناك نشاط DC ID من المصرف إلى المصدر. ستشكل الطبقة المعتدلة الممتدة من البوابة إلى المصرف نوعًا من الانسداد لجسم القناة بالكامل، معرف ممتلئ. قم بالإشارة إلى هذا النمط على أنه قرصة. يرمز هذا إلى أن الطبقة الانتقالية تعيق القناة بأكملها، ولا يعني ذلك أن التيار المستمر مقطوع.

في الطبقة الانتقالية، لعدم وجود حركة ذاتية للإلكترونات والثقوب، في الشكل الحقيقي للخصائص العازلة لوجود التيار المستمر المستمر يصعب التحرك. ومع ذلك، فإن المجال المغناطيسي بين مصدر الصرف، عمليًا، يتصل بالصرف وعمود البوابة في الطبقة الانتقالية في أسفل اليسار، لأن المجال المغناطيسي المنجرف يسحب الإلكترونات عالية السرعة عبر الطبقة الانتقالية. لأن قوة المجال المغناطيسي الانجراف لا تغير ببساطة ملء مشهد الهوية. ثانيًا، يتغير VGS إلى الموضع السلبي، بحيث VGS = VGS (إيقاف)، ثم تغير الطبقة الانتقالية إلى حد كبير شكل تغطية البحر بأكمله. ويضاف المجال المغناطيسي لـ VDS إلى حد كبير إلى الطبقة الانتقالية، وهو المجال المغناطيسي الذي يسحب الإلكترون إلى موضع الانجراف، طالما أنه قريب من قطب المنبع القصير جدًا، وهو ما يزيد من أن طاقة التيار المستمر ليست كذلك قادرة على الركود.