هذا هو المعبأةموسفيتمستشعر الأشعة تحت الحمراء الكهروضوئية. الإطار المستطيل هو نافذة الاستشعار. الدبوس G هو الطرف الأرضي، والدبوس D هو استنزاف MOSFET الداخلي، والدبوس S هو مصدر MOSFET الداخلي. في الدائرة، يتم توصيل G بالأرض، ويتم توصيل D بمصدر الطاقة الموجب، ويتم إدخال إشارات الأشعة تحت الحمراء من النافذة، ويتم إخراج الإشارات الكهربائية من S.
بوابة القضاء G
يلعب برنامج تشغيل MOS بشكل أساسي دور تشكيل الشكل الموجي وتحسين القيادة: إذا كان شكل موجة إشارة G لـموسفيتليست شديدة الانحدار بما فيه الكفاية، وسوف تتسبب في فقدان قدر كبير من الطاقة أثناء مرحلة التبديل. تأثيره الجانبي هو تقليل كفاءة تحويل الدائرة. سوف يعاني جهاز MOSFET من حمى شديدة ويتعرض للتلف بسهولة بسبب الحرارة. هناك سعة معينة بين MOSFETGS. ، إذا كانت قدرة قيادة إشارة G غير كافية، فسوف يؤثر ذلك بشكل خطير على وقت قفزة الشكل الموجي.
قم بقصر دائرة القطب GS، وحدد مستوى R×1 للمقياس المتعدد، وقم بتوصيل سلك الاختبار الأسود بالقطب S، وسلك الاختبار الأحمر بالقطب D. يجب أن تكون المقاومة من بضعة أوم إلى أكثر من عشرة أوم. إذا وجد أن مقاومة طرف معين وطرفيه لا نهائية، ولا تزال لا نهائية بعد تبادل أسلاك الاختبار، فإنه يتأكد أن هذا الطرف هو القطب G، لأنه معزول عن القطبين الآخرين.
تحديد المصدر S والصرف D
اضبط المتر المتعدد على R×1k وقم بقياس المقاومة بين الأطراف الثلاثة على التوالي. استخدم طريقة اختبار التبادل لقياس المقاومة مرتين. المقاومة ذات قيمة مقاومة أقل (بشكل عام من بضعة آلاف Ω إلى أكثر من عشرة آلاف Ω) هي المقاومة الأمامية. في هذا الوقت، يكون سلك الاختبار الأسود هو القطب S ويتصل سلك الاختبار الأحمر بالقطب D. بسبب ظروف الاختبار المختلفة، تكون قيمة RDS(on) المقاسة أعلى من القيمة النموذجية الواردة في الدليل.
عنموسفيت
يحتوي الترانزستور على قناة من النوع N لذلك تسمى قناة Nموسفيت، أوNMOS. يوجد أيضًا P-channel MOS (PMOS) FET، وهو عبارة عن PMOSFET يتكون من BACKGATE من النوع N المخدر قليلاً ومصدر ومصرف من النوع P.
بغض النظر عن MOSFET من النوع N أو P، فإن مبدأ عملها هو نفسه بشكل أساسي. يتحكم MOSFET في التيار عند استنزاف طرف الخرج من خلال الجهد المطبق على بوابة طرف الإدخال. MOSFET هو جهاز يتم التحكم فيه بالجهد. يتحكم في خصائص الجهاز من خلال الجهد المطبق على البوابة. لا يسبب تأثير تخزين الشحن الناتج عن التيار الأساسي عند استخدام الترانزستور للتبديل. لذلك، عند تبديل التطبيقات،الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومةيجب أن يتحول بشكل أسرع من الترانزستورات.
حصل FET أيضًا على اسمه من حقيقة أن مدخلاته (التي تسمى البوابة) تؤثر على التيار المتدفق عبر الترانزستور عن طريق تسليط مجال كهربائي على طبقة عازلة. في الواقع، لا يتدفق أي تيار عبر هذا العازل، وبالتالي فإن تيار البوابة لأنبوب FET صغير جدًا.
يستخدم FET الأكثر شيوعًا طبقة رقيقة من ثاني أكسيد السيليكون كعازل أسفل البوابة.
يُسمى هذا النوع من الترانزستورات ترانزستور أشباه الموصلات من أكسيد المعدن (MOS)، أو ترانزستور تأثير المجال من أشباه الموصلات من أكسيد المعدن (MOSFET). نظرًا لأن الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) أصغر حجمًا وأكثر كفاءة في استخدام الطاقة، فقد حلت محل الترانزستورات ثنائية القطب في العديد من التطبيقات.
وقت النشر: 10 نوفمبر 2023
