ما هي المناطق الأربع للMOSFET؟

 

المناطق الأربع لتعزيز MOSFET للقناة N

(1) منطقة المقاومة المتغيرة (وتسمى أيضًا المنطقة غير المشبعة)

Ucs" Ucs (th) (جهد التشغيل)، uDs" UGs-Ucs (th)، هي المنطقة الموجودة على يسار التتبع المثبت مسبقًا في الشكل حيث يتم تشغيل القناة. قيمة UDs صغيرة في هذه المنطقة، ويتم التحكم في مقاومة القناة بشكل أساسي فقط بواسطة UGs. عندما تكون uGs مؤكدة، فإن IP وuDs في علاقة خطية، ويتم تقريب المنطقة كمجموعة من الخطوط المستقيمة. في هذا الوقت، تأثير المجال أنبوب D، S بين ما يعادل الجهد UGS

تسيطر عليها المقاومة المتغيرة الجهد UGS.

(2) منطقة التيار المستمر (المعروفة أيضًا بمنطقة التشبع ومنطقة التضخيم والمنطقة النشطة)

Ucs ≥ Ucs (h) وUbs ≥ UcsUssth)، لشكل الجانب الأيمن من القرص المسبق خارج المسار، ولكن لم يتم تقسيمه بعد في المنطقة، في المنطقة، عندما يجب أن تكون uGs، ib تقريبًا لا التغيير مع UDs، هو خصائص التيار المستمر. يتم التحكم i فقط بواسطة UGs، ثم MOSFETD، S يعادل التحكم في جهد UGs للمصدر الحالي. يستخدم MOSFET في دوائر التضخيم، بشكل عام على عمل MOSFET D,S وهو ما يعادل جهد uGs للتحكم في مصدر التيار. MOSFET المستخدمة في دوائر التضخيم، تعمل عمومًا في المنطقة، المعروفة أيضًا باسم منطقة التضخيم.

(3) منطقة القطع (وتسمى أيضًا منطقة القطع)

منطقة القطع (المعروفة أيضًا باسم منطقة القطع) لتلبية ucs "Ues (th) بالشكل بالقرب من المحور الأفقي للمنطقة، يتم تثبيت القناة بالكامل، والمعروفة باسم المقطع الكامل، io = 0 ، الأنبوب لا يعمل.

(4) موقع منطقة الانهيار

تقع منطقة الانهيار في المنطقة على الجانب الأيمن من الشكل. مع زيادة UDs، يتعرض تقاطع PN للكثير من الجهد العكسي والانهيار، ويزيد IP بشكل حاد. يجب تشغيل الأنبوب لتجنب التشغيل في منطقة الانهيار. يمكن استخلاص منحنى خاصية النقل من منحنى خاصية الإخراج. على الطريقة المستخدمة كرسم بياني للعثور عليها. على سبيل المثال، في الشكل 3 (أ) للخط العمودي Ubs = 6V، تقاطعه مع المنحنيات المختلفة المقابلة لقيم i، Us في إحداثيات ib-Uss المتصلة بالمنحنى، أي للحصول على منحنى خاصية النقل.

معلماتموسفيت

هناك العديد من معلمات MOSFET، بما في ذلك معلمات التيار المستمر ومعلمات التيار المتردد ومعلمات الحد، ولكن يجب الاهتمام بالمعلمات الرئيسية التالية فقط في الاستخدام الشائع: تيار مصدر التصريف المشبع، جهد قرصة IDSS لأعلى، (أنابيب من نوع الوصلات والنضوب) أنابيب البوابة المعزولة من النوع، أو جهد التشغيل UT (أنابيب البوابة المعزولة المقواة)، وجم ناقل الحركة، وجهد انهيار مصدر التسرب، والحد الأقصى للطاقة المتبددة PDSM، والحد الأقصى لتيار مصدر الصرف IDSM.

(1) تيار الصرف المشبع

تيار الصرف المشبع IDSS هو تيار الصرف في بوابة معزولة من نوع الوصلة أو النضوب MOSFET عندما يكون جهد البوابة UGS = 0.

(2) مقطع الجهد

إن جهد الضغط UP هو جهد البوابة في MOSFET من نوع الوصلات أو البوابة المعزولة من النوع المستنفد والتي تنقطع بين المصرف والمصدر. كما هو موضح في الشكل 4-25 بالنسبة لأنبوب القناة N UGS، يمكن فهم منحنى ID لمعرفة أهمية IDSS وUP

MOSFET أربع مناطق

(3) تشغيل الجهد

جهد التشغيل UT هو جهد البوابة في بوابة MOSFET المعزولة المعززة التي تجعل مصدر الصرف الداخلي موصلًا فقط.

(4) الموصلية

إن gm الموصلية هي قدرة التحكم في جهد مصدر البوابة UGS على معرف تيار الصرف، أي نسبة التغير في معرف تيار الصرف إلى التغير في جهد مصدر البوابة UGS. 9m هي معلمة مهمة تزن قدرة التضخيمموسفيت.

(5) استنزاف مصدر انهيار الجهد

يشير جهد انهيار مصدر الصرف BUDS إلى جهد مصدر البوابة UGS المعين، ويمكن للتشغيل العادي لـ MOSFET قبول الحد الأقصى لجهد مصدر الصرف. هذه معلمة حدية، تضاف إلى جهد تشغيل MOSFET ويجب أن تكون أقل من BUDS.

(6) أقصى تبديد للطاقة

الحد الأقصى لتبديد الطاقة PDSM هو أيضًا معلمة حدية، تشير إلىموسفيتلا يتدهور الأداء عند الحد الأقصى المسموح به لتبديد طاقة مصدر التسرب. عند استخدام MOSFET، يجب أن يكون استهلاك الطاقة العملي أقل من PDSM ويترك هامشًا معينًا.

(7) الحد الأقصى لتيار الصرف

الحد الأقصى لتيار التسرب IDSM هو معلمة حد أخرى، تشير إلى التشغيل العادي لـ MOSFET، ويجب ألا يتجاوز مصدر التسرب للحد الأقصى للتيار المسموح به بالمرور عبر تيار تشغيل MOSFET IDSM.

مبدأ تشغيل MOSFET

مبدأ تشغيل MOSFET (MOSFET لتعزيز قناة N) هو استخدام VGS للتحكم في كمية "الشحنة الحثية"، من أجل تغيير حالة القناة الموصلة التي تشكلها هذه "الشحنة الحثية"، ومن ثم تحقيق الغرض للتحكم في تيار التصريف. والغرض من ذلك هو التحكم في تيار الصرف. في صناعة الأنابيب، من خلال عملية صنع عدد كبير من الأيونات الموجبة في الطبقة العازلة، لذلك في الجانب الآخر من الواجهة يمكن حث المزيد من الشحنات السالبة، يمكن حث هذه الشحنات السالبة.

عندما يتغير جهد البوابة، تتغير أيضًا كمية الشحنة المستحثة في القناة، ويتغير أيضًا عرض القناة الموصلة، وبالتالي يتغير معرف تيار الصرف مع جهد البوابة.

دور موسفيت

I. يمكن تطبيق MOSFET على التضخيم. بسبب مقاومة الإدخال العالية لمضخم MOSFET، يمكن أن يكون مكثف الاقتران ذو سعة أصغر، دون استخدام المكثفات الإلكتروليتية.

ثانيًا، مقاومة المدخلات العالية لـ MOSFET مناسبة جدًا لتحويل المعاوقة. يشيع استخدامها في مرحلة إدخال مكبر الصوت متعدد المراحل لتحويل المعاوقة.

يمكن استخدام MOSFET كمقاوم متغير.

رابعاً، يمكن استخدام MOSFET بسهولة كمصدر تيار ثابت.

خامساً، يمكن استخدام MOSFET كمفتاح إلكتروني.