غالبًا ما تُعتبر MOSFETs (ترانزستور تأثير المجال لأشباه الموصلات المعدنية) بمثابة أجهزة يتم التحكم فيها بالكامل. وذلك لأن حالة التشغيل (التشغيل أو الإيقاف) للـ MOSFET يتم التحكم فيها بالكامل بواسطة جهد البوابة (Vgs) ولا تعتمد على التيار الأساسي كما في حالة الترانزستور ثنائي القطب (BJT).
في MOSFET، يحدد جهد البوابة Vgs ما إذا كانت سيتم تشكيل قناة موصلة بين المصدر والمصرف، وكذلك عرض قناة التوصيل وموصليتها. عندما يتجاوز Vgs عتبة الجهد Vt، يتم تشكيل قناة التوصيل ويدخل MOSFET إلى الحالة؛ عندما ينخفض Vgs إلى ما دون Vt، تختفي قناة التوصيل ويكون MOSFET في حالة القطع. يتم التحكم في هذا التحكم بشكل كامل لأن جهد البوابة يمكنه التحكم بشكل مستقل ودقيق في حالة تشغيل MOSFET دون الاعتماد على معلمات التيار أو الجهد الأخرى.
في المقابل، فإن حالة تشغيل الأجهزة نصف الخاضعة للتحكم (مثل الثايرستور) لا تتأثر فقط بجهد التحكم أو التيار، ولكن أيضًا بعوامل أخرى (مثل جهد الأنود والتيار وما إلى ذلك). ونتيجة لذلك، فإن الأجهزة التي يتم التحكم فيها بالكامل (مثل الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) تقدم عادةً أداءً أفضل من حيث دقة التحكم والمرونة.
باختصار، تعتبر الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) أجهزة يتم التحكم فيها بالكامل ويتم التحكم في حالة تشغيلها بالكامل بواسطة جهد البوابة، وتتمتع بمزايا الدقة العالية والمرونة العالية والاستهلاك المنخفض للطاقة.
وقت النشر: 20 سبتمبر 2024
