كيفية تحديد nMOSFETs وpMOSFETs

I. وفقا لاتجاه التدفق الحالي

Nموسفيت:عندما يتدفق التيار من المصدر (S) إلى المصرف (D)، يكون MOSFET عبارة عن NMOSFET. في NMOSFET، يكون المصدر والمصرف من أشباه الموصلات من النوع n والبوابة من أشباه الموصلات من النوع p. عندما يكون جهد البوابة موجبًا بالنسبة للمصدر، تتشكل قناة موصلة من النوع n على سطح شبه الموصل، مما يسمح للإلكترونات بالتدفق من المصدر إلى المصرف.

Pموسفيت:MOSFET هو PMOSFET عندما يتدفق التيار من المصرف (D) إلى المصدر (S) في PMOSFET، يكون كل من المصدر والصرف من أشباه الموصلات من النوع p والبوابة من أشباه الموصلات من النوع n. عندما يكون جهد البوابة سالبًا بالنسبة للمصدر، تتشكل قناة موصلة من النوع p على سطح شبه الموصل، مما يسمح للثقوب بالتدفق من المصدر إلى المصرف (لاحظ أنه في الوصف التقليدي ما زلنا نقول أن التيار من D إلى S، ولكنه في الواقع الاتجاه الذي تتحرك فيه الثقوب).

*** مترجمة باستخدام www.DeepL.com/Translator (نسخة مجانية) ***

ثانيا. وفقا لاتجاه الصمام الثنائي الطفيلي

Nموسفيت:عندما يشير الصمام الثنائي الطفيلي من المصدر (S) إلى التصريف (D)، فهو NMOSFET. الصمام الثنائي الطفيلي هو هيكل جوهري داخل MOSFET، ويمكن أن يساعدنا اتجاهه في تحديد نوع MOSFET.

Pموسفيت:الصمام الثنائي الطفيلي هو PMOSFET عندما يشير من الصرف (D) إلى المصدر (S).

ثالثا. وفقا للعلاقة بين جهد القطب الكهربائي والتوصيل الكهربائي

Nموسفيت:يتم إجراء NMOSFET عندما يكون جهد البوابة موجبًا بالنسبة لجهد المصدر. وذلك لأن جهد البوابة الموجب يخلق قنوات موصلة من النوع n على سطح أشباه الموصلات، مما يسمح للإلكترونات بالتدفق.

Pموسفيت:يتم إجراء PMOSFET عندما يكون جهد البوابة سالبًا بالنسبة لجهد المصدر. ينشئ جهد البوابة السلبي قناة موصلة من النوع p على سطح أشباه الموصلات، مما يسمح بتدفق الثقوب (أو تدفق التيار من D إلى S).

رابعا. طرق مساعدة أخرى للحكم

عرض علامات الجهاز:في بعض الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET)، قد يكون هناك علامة أو رقم طراز يحدد نوعها، ومن خلال الرجوع إلى ورقة البيانات ذات الصلة، يمكنك تأكيد ما إذا كانت NMOSFET أو PMOSFET.

استخدام أدوات الاختبار:يمكن أيضًا أن يساعد قياس مقاومة دبوس MOSFET أو توصيله عند جهود مختلفة من خلال أدوات الاختبار مثل المقاييس المتعددة في تحديد نوعه.

باختصار، يمكن تنفيذ الحكم على NMOSFETs وPMOSFETs بشكل أساسي من خلال اتجاه التدفق الحالي، واتجاه الصمام الثنائي الطفيلي، والعلاقة بين جهد قطب التحكم والموصلية، بالإضافة إلى التحقق من علامات الجهاز واستخدام أدوات الاختبار. وفي التطبيقات العملية، يمكن اختيار طريقة الحكم المناسبة وفقاً للموقف المحدد.