هل تعرف أقطاب MOSFET الثلاثة؟

يحتوي MOSFET (ترانزستور تأثير المجال لأكسيد المعدن وأشباه الموصلات) على ثلاثة أقطاب وهي:

بوابة:G، بوابة MOSFET تعادل قاعدة الترانزستور ثنائي القطب وتستخدم للتحكم في توصيل وقطع MOSFET. في الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET)، يحدد جهد البوابة (Vgs) ما إذا كانت سيتم تشكيل قناة موصلة بين المصدر والمصرف، وكذلك عرض القناة الموصلة وموصليتها. البوابة مصنوعة من مواد مثل المعدن والبولي سيليكون وما إلى ذلك، ومحاطة بطبقة عازلة (عادة ثاني أكسيد السيليكون) لمنع التيار من التدفق مباشرة داخل البوابة أو خارجها.

مصدر:S، مصدر MOSFET يعادل باعث الترانزستور ثنائي القطب وهو المكان الذي يتدفق فيه التيار. في دوائر MOSFET ذات القناة N، عادةً ما يكون المصدر متصلاً بالطرف السالب (أو الأرضي) لمصدر الطاقة، بينما في دوائر MOSFET ذات القناة P، يكون المصدر متصلاً بالطرف الموجب لمصدر الطاقة. المصدر هو أحد الأجزاء الرئيسية التي تشكل القناة الموصلة، والتي ترسل الإلكترونات (قناة N) أو الثقوب (قناة P) إلى المصرف عندما يكون جهد البوابة مرتفعًا بدرجة كافية.

بالُوعَة:D، استنزاف MOSFET يعادل مجمع الترانزستور ثنائي القطب وهو المكان الذي يتدفق فيه التيار. عادةً ما يكون الاستنزاف متصلاً بالحمل ويعمل كمخرج تيار في الدائرة. في MOSFET، يكون الصرف هو الطرف الآخر من القناة الموصلة، وعندما يتحكم جهد البوابة في تكوين قناة موصلة بين المصدر والمصرف، يمكن للتيار أن يتدفق من المصدر عبر القناة الموصلة إلى المصرف.

باختصار، يتم استخدام بوابة MOSFET للتحكم في التشغيل والإيقاف، فالمصدر هو المكان الذي يتدفق فيه التيار، والصرف هو المكان الذي يتدفق فيه التيار. وتحدد هذه الأقطاب الثلاثة معًا حالة التشغيل وأداء MOSFET .