تحدث بإيجاز عن طريقة إنتاج جهاز تبديد الحرارة MOSFET عالي الطاقة

يشتمل جهاز تبديد الحرارة على غلاف هيكل مجوف 100 ولوحة دائرة 101. تم ترتيب لوحة الدائرة 101 في الغلاف 100. يتم توصيل عدد من وحدات MOSFET جنبًا إلى جنب 102 بكلا طرفي لوحة الدائرة 101 من خلال المسامير. وتتضمن أيضًا كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 لضغط MOSFET 102 بحيث تكون MOSFET 102 قريبة من الجدار الداخلي للمبيت 100. تحتوي كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 على قناة مياه متداولة أولى 104 تمر عبرها. يتم ترتيب قناة المياه المتداولة الأولى 104 عموديًا مع العديد من الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) 102 جنبًا إلى جنب.
تضغط كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 على MOSFET 102 على الجدار الداخلي للمبيت 100، ويتم توصيل جزء من حرارة MOSFET 102 إلى المبيت 100. ويتم توصيل جزء آخر من الحرارة إلى كتلة تبديد الحرارة 103، و السكن 100 يبدد الحرارة في الهواء. يتم أخذ حرارة كتلة تبديد الحرارة 103 بواسطة ماء التبريد في قناة المياه المتداولة الأولى 104، مما يحسن تأثير تبديد الحرارة لـ MOSFET 102. وفي الوقت نفسه، جزء من الحرارة المتولدة عن المكونات الأخرى في السكن يتم توصيل 100 أيضًا إلى كتلة ضغط تبديد الحرارة 103. لذلك، يمكن لكتلة ضغط تبديد الحرارة 103 تقليل درجة الحرارة في المبيت 100 بشكل أكبر وتحسين كفاءة العمل وعمر الخدمة للمكونات الأخرى في المبيت 100؛ يحتوي الغلاف 100 على هيكل مجوف، لذلك لا تتراكم الحرارة بسهولة في الغلاف 100، وبالتالي يمنع لوحة الدائرة 101 من السخونة الزائدة والاحتراق. يتم تزويد الجدار الجانبي للمبيت 100 بقناة مياه دوارة ثانية 105 موازية لقناة المياه التدويرية الأولى 104، وقناة المياه التدويرية الثانية 105 قريبة من MOSFET 102 المقابلة. يتم تزويد الجدار الخارجي للمبيت 100 بأخدود لتبديد الحرارة 108 . يتم سحب حرارة المبيت 100 بشكل رئيسي من خلال ماء التبريد في قناة المياه المتداولة الثانية 105. يتم تبديد جزء آخر من الحرارة من خلال أخدود تبديد الحرارة 108، مما يحسن تأثير تبديد الحرارة للمبيت 100. يتم تزويد كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 بعدة فتحات ملولبة 107. يتم توصيل كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 بشكل ثابت إلى الجدار الداخلي للإسكان 100 من خلال مسامير. يتم تثبيت البراغي في الفتحات الملولبة لكتلة ضغط تبديد الحرارة 103 من الفتحات الملولبة الموجودة على الجدران الجانبية للمبيت 100.

في الاختراع الحالي، تمتد قطعة التوصيل 109 من حافة كتلة ضغط تبديد الحرارة 103. يتم تزويد قطعة التوصيل 109 بعدد من الثقوب الملولبة 107. قطعة التوصيل 109 متصلة بشكل ثابت بالجدار الداخلي للمبيت 100 من خلال مسامير. يتم توفير قضبان الدعم 106 على جانبي الجدار الداخلي للمبيت 100 لدعم لوحة الدائرة 101. عندما تكون كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 متصلة بشكل ثابت بالجدار الداخلي للمبيت 100، يتم الضغط على لوحة الدائرة 101 بين الجدران الجانبية لكتلة ضغط تبديد الحرارة 103 وقضبان الدعم 106. أثناء التثبيت، يتم وضع لوحة الدائرة 101 أولاً على سطح شريط الدعم 106، ويتم ضغط الجزء السفلي من كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 على السطح العلوي للوحة الدائرة 101. بعد ذلك، يتم تثبيت كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 على الجدار الداخلي للمبيت 100 بواسطة براغي. يتم تشكيل أخدود تثبيت بين كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 وقضيب الدعم 106 لتثبيت لوحة الدائرة 101 لتسهيل تركيب وإزالة لوحة الدائرة 101. وفي الوقت نفسه، تكون لوحة الدائرة 101 قريبة من تبديد الحرارة كتلة الضغط 103 . لذلك، يتم نقل الحرارة المتولدة من لوحة الدائرة 101 إلى كتلة ضغط تبديد الحرارة 103، ويتم نقل كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 بعيدًا بواسطة ماء التبريد في قناة الماء المتداولة الأولى 104، وبالتالي منع لوحة الدائرة 101 من السخونة الزائدة وحرق. على نحو مفضل، يتم وضع فيلم عازل بين MOSFET 102 والجدار الداخلي للمبيت 100، ويتم وضع فيلم عازل بين كتلة ضغط تبديد الحرارة 103 وMOSFET 102.

يشتمل جهاز تبديد الحرارة MOSFET عالي الطاقة على غلاف هيكل مجوف 200 ولوحة دائرة 202. يتم ترتيب لوحة الدائرة 202 في الغلاف 200. يتم توصيل عدد من وحدات MOSFET جنبًا إلى جنب 202 على التوالي بكلا طرفي الدائرة اللوحة 202 من خلال المسامير، وتتضمن أيضًا كتلة ضغط لتبديد الحرارة 203 لضغط الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة 202 بحيث تكون الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة 202 قريبة من الجدار الداخلي للمبيت 200 . تمر قناة المياه المتداولة الأولى 204 عبر كتلة ضغط تبديد الحرارة 203. يتم ترتيب قناة المياه المتداولة الأولى 204 رأسيًا مع العديد من الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) 202 جنبًا إلى جنب. ويتم تزويد الجدار الجانبي للغلاف بأنبوب تبديد الحرارة 205 عموديًا على يتم تزويد قناة المياه المتداولة الأولى 204، وأحد طرفي أنبوب تبديد الحرارة 205 بجسم تبديد الحرارة 206. والطرف الآخر مغلق، ويشكل جسم تبديد الحرارة 206 وأنبوب تبديد الحرارة 205 تجويفًا داخليًا مغلقًا، و يتم ترتيب المبرد في التجويف الداخلي. يقوم MOSFET 202 بتوليد الحرارة وتبخير مادة التبريد. عند التبخير، فإنه يمتص الحرارة من طرف التسخين (القريب من طرف MOSFET 202)، ثم يتدفق من طرف التسخين إلى طرف التبريد (بعيدًا عن طرف MOSFET 202). عندما يواجه البرودة في نهاية التبريد، فإنه يطلق الحرارة إلى المحيط الخارجي لجدار الأنبوب. ثم يتدفق السائل إلى نهاية التسخين، وبالتالي تشكيل دائرة تبديد الحرارة. إن تبديد الحرارة من خلال التبخير والسائل أفضل بكثير من تبديد الحرارة بواسطة الموصلات الحرارية التقليدية. يشتمل جسم تبديد الحرارة 206 على حلقة تبديد حرارة 207 متصلة بشكل ثابت بأنبوب تبديد الحرارة 205 وزعنفة تبديد حرارة 208 متصلة بشكل ثابت بحلقة تبديد الحرارة 207؛ كما يتم توصيل زعنفة تبديد الحرارة 208 بشكل ثابت بمروحة التبريد 209.

تتميز حلقة تبديد الحرارة 207 وأنبوب تبديد الحرارة 205 بمسافة تركيب طويلة، بحيث يمكن لحلقة تبديد الحرارة 207 نقل الحرارة بسرعة في أنبوب تبديد الحرارة 205 إلى المشتت الحراري 208 لتحقيق تبديد سريع للحرارة.