اختيار MOSFET | مبادئ بناء قناة N-MOSFET

تسمى MOSFET التي تتكون من ركيزة من النوع p ومنطقتين منتشرتين بقيم تركيز عالية بقناة nموسفيت، والقناة الموصلة الناتجة عن قناة موصلة من النوع n ناتجة عن مسارات الانتشار n في مساري الانتشار n بقيم تركيز عالية عند توصيل الأنبوب. تحتوي الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات القناة n على قناة n الناتجة عن قناة موصلة عندما يتم رفع انحياز اتجاهي إيجابي قدر الإمكان عند البوابة وفقط عندما يتطلب تشغيل مصدر البوابة جهد تشغيل يتجاوز جهد العتبة. الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات القناة n هي تلك التي ليست جاهزة لجهد البوابة (يتطلب تشغيل مصدر البوابة جهد تشغيل يساوي صفر). MOSFET لاستنفاد الضوء ذو القناة n هو MOSFET ذو القناة n حيث تحدث القناة الموصلة عندما لا يتم تحضير جهد البوابة (جهد تشغيل متطلبات تشغيل مصدر البوابة هو صفر).

      دوائر NMOSFET المتكاملة عبارة عن دائرة إمداد طاقة MOSFET ذات قناة N، ودوائر NMOSFET المتكاملة، ومقاومة الإدخال عالية جدًا، والغالبية العظمى لا تحتاج إلى استيعاب امتصاص تدفق الطاقة، وبالتالي يتم توصيل دوائر CMOSFET وNMOSFET المتكاملة دون الحاجة إلى مراعاة حساب حمل تدفق الطاقة. دوائر NMOSFET المتكاملة، الغالبية العظمى من اختيار مجموعة واحدة إيجابية تحويل التيار الكهربائي دائرة دوائر إمداد الطاقة الغالبية العظمى من الدوائر المتكاملة NMOSFET تستخدم إيجابية واحدة تحويل دائرة إمداد الطاقة إلى دارة إمداد الطاقة، وإلى 9V للمزيد. تحتاج دوائر CMOSFET المتكاملة فقط إلى استخدام نفس دائرة إمداد الطاقة بدائرة إمداد الطاقة مثل دوائر NMOSFET المتكاملة، ويمكن توصيلها بدوائر NMOSFET المتكاملة على الفور. ومع ذلك، من NMOSFET إلى CMOSFET متصل على الفور، نظرًا لأن مقاومة سحب خرج NMOSFET أقل من مقاومة السحب ذات مفاتيح الدائرة المتكاملة CMOSFET، لذا حاول تطبيق فرق الجهد المقاوم للسحب R، قيمة المقاوم R هي عموما 2 إلى 100KΩ.