كيف تعمل دوائر MOSFET؟

1, موسفيتمقدمة

اختصار FieldEffect Transistor (FET)) عنوان MOSFET. بواسطة عدد صغير من الناقلات للمشاركة في توصيل الحرارة، والمعروف أيضًا باسم الترانزستور متعدد الأقطاب. إنه ينتمي إلى آلية شبه الموصل الفائق من النوع الذي يتحكم في الجهد. هناك مقاومة عالية للإخراج (10^8 ~ 10^9Ω)، ضوضاء منخفضة، استهلاك منخفض للطاقة، نطاق ثابت، سهل التكامل، لا توجد ظاهرة انهيار ثانية، لقد تغيرت الآن مهمة التأمين على نطاق البحر ومزايا أخرى. الترانزستور ثنائي القطب وترانزستور تقاطع الطاقة للمتعاونين الأقوياء.

2، خصائص MOSFET

1، MOSFET هو جهاز للتحكم في الجهد، وذلك من خلال معرف التحكم VGS (جهد مصدر البوابة) (تصريف التيار المستمر)؛

2, موسفيتقطب DC الناتج صغير، وبالتالي فإن مقاومة الإخراج كبيرة.

3، هو تطبيق عدد قليل من الناقلات لتوصيل الحرارة، لذلك لديه مقياس أفضل للاستقرار؛

4، يتكون مسار التخفيض من معامل التخفيض الكهربائي أصغر من الصمام الثلاثي ويتكون من مسار التخفيض من معامل التخفيض؛

5، MOSFET القدرة المضادة للإشعاع؛

6، بسبب عدم وجود نشاط خاطئ لتشتت الأوليجون الناجم عن جزيئات الضوضاء المتناثرة، وبالتالي فإن الضوضاء منخفضة.

3. مبدأ مهمة MOSFET

موسفيتمبدأ التشغيل في جملة واحدة، هو "مصدر الصرف بين المعرف الذي يتدفق عبر قناة البوابة والقناة بين تقاطع pn الذي يتكون من التحيز العكسي للمعرف الرئيسي لجهد البوابة"، على وجه الدقة، يتدفق المعرف عبر العرض المسار، أي منطقة المقطع العرضي للقناة، هو التغيير في الانحياز العكسي لوصلة pn، مما ينتج طبقة استنفاد سبب التحكم الممتد في التباين. في البحر غير المشبع لـ VGS=0، نظرًا لأن تمدد الطبقة الانتقالية ليس كبيرًا جدًا، وفقًا لإضافة المجال المغناطيسي لـ VDS بين مصدر التصريف، يتم سحب بعض الإلكترونات الموجودة في بحر المصدر بعيدًا بواسطة استنزاف، أي أن هناك نشاط معرف DC من الصرف إلى المصدر. الطبقة المعتدلة المتضخمة من البوابة إلى المصرف تجعل جسم القناة بالكامل يشكل نوعًا مانعًا، معرف ممتلئ. أطلق على هذا النموذج اسم "القرص". ترمز الطبقة الانتقالية إلى قناة العائق بأكمله، بدلاً من قطع التيار المستمر.

ونظرًا لعدم وجود حركة حرة للإلكترونات والثقوب في الطبقة الانتقالية، فإنها تتمتع بخصائص عازلة تقريبًا بالشكل المثالي، ويصعب تدفق التيار العام. ولكن بعد ذلك، فإن المجال الكهربائي بين مصدر الصرف، في الواقع، يتصل بالصرف وعمود البوابة بالقرب من الجزء السفلي من الطبقة الانتقالية، لأن المجال الكهربائي المنجرف يسحب الإلكترونات عالية السرعة عبر الطبقة الانتقالية. تكون شدة مجال الانجراف ثابتة تقريبًا مما يؤدي إلى امتلاء مشهد الهوية.

تستخدم الدائرة مزيجًا من MOSFET للقناة P المحسنة وMOSFET للقناة N المحسنة. عندما يكون الإدخال منخفضًا، يقوم MOSFET ذو القناة P بالتوصيل ويتم توصيل الإخراج بالطرف الموجب لمصدر الطاقة. عندما يكون الإدخال مرتفعًا، يتم توصيل MOSFET ذو القناة N ويتم توصيل الإخراج بأرضية مصدر الطاقة. في هذه الدائرة، يعمل MOSFET ذو القناة P وMOSFET ذو القناة N دائمًا في حالات متعاكسة، مع عكس مدخلات ومخرجات الطور.