إرشادات لاختيار حزمة MOSFET

ثانيا، حجم قيود النظام

بعض الأنظمة الإلكترونية محدودة بحجم ثنائي الفينيل متعدد الكلور والداخلي الارتفاع، سمثل أنظمة الاتصالات، عادةً ما تستخدم وحدات إمداد الطاقة المعيارية بسبب قيود الارتفاع حزمة DFN5 * 6، DFN3 * 3؛ في بعض مصادر الطاقة ACDC، يتم استخدام تصميم رفيع للغاية أو بسبب قيود الغلاف، فإن تجميع حزمة TO220 لأقدام الطاقة MOSFET التي يتم إدخالها مباشرة في جذر قيود الارتفاع لا يمكن استخدام حزمة TO247. بعض التصميمات الرفيعة جدًا التي تثني دبابيس الجهاز بشكل مسطح، ستصبح عملية إنتاج التصميم هذه معقدة.

ثالثا، عملية الإنتاج للشركة

يحتوي TO220 على نوعين من العبوات: العبوات المعدنية العارية والحزمة البلاستيكية الكاملة، والمقاومة الحرارية للحزمة المعدنية العارية صغيرة، وقدرة تبديد الحرارة قوية، ولكن في عملية الإنتاج، تحتاج إلى إضافة انخفاض العزل، وعملية الإنتاج معقدة ومكلفة، في حين أن المقاومة الحرارية للعبوة البلاستيكية الكاملة كبيرة، فإن قدرة تبديد الحرارة ضعيفة، ولكن عملية الإنتاج بسيطة.

من أجل تقليل العملية الاصطناعية لقفل البراغي، في السنوات الأخيرة، تستخدم بعض الأنظمة الإلكترونية المشابك لتشغيلهاالدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة تم تثبيته في المشتت الحراري، بحيث يؤدي ظهور الجزء التقليدي TO220 من الجزء العلوي إلى إزالة الثقوب في شكل التغليف الجديد، ولكن أيضًا لتقليل ارتفاع الجهاز.

رابعا، مراقبة التكاليف

في بعض التطبيقات شديدة الحساسية من حيث التكلفة مثل اللوحات الأم واللوحات المكتبية، تُستخدم عادةً وحدات MOSFET الخاصة بالطاقة في حزم DPAK بسبب التكلفة المنخفضة لهذه الحزم. ولذلك، عند اختيار حزمة الطاقة MOSFET، جنبا إلى جنب مع أسلوب الشركة وميزات المنتج، والنظر في العوامل المذكورة أعلاه.

خامسا، حدد جهد الصمود BVDSS في معظم الحالات، لأن تصميم المدخلات voسعة الإلكترونية النظام ثابت نسبيًا، وقد اختارت الشركة موردًا محددًا لبعض أرقام المواد، كما تم إصلاح الجهد المقنن للمنتج أيضًا.

لقد حدد جهد الانهيار BVDSS لوحدات MOSFET الخاصة بالطاقة في ورقة البيانات ظروف الاختبار، بقيم مختلفة في ظل ظروف مختلفة، وBVDSS له معامل درجة حرارة إيجابي، في التطبيق الفعلي لمجموعة هذه العوامل يجب النظر فيها بطريقة شاملة.

كثيرًا ما يتم ذكر الكثير من المعلومات والأدبيات: إذا كان نظام طاقة MOSFET VDS ذو أعلى جهد ارتفاع إذا كان أكبر من BVDSS، حتى لو كانت مدة جهد نبض الارتفاع لا تتجاوز بضع أو عشرات من ns، فإن طاقة MOSFET ستدخل في الانهيار الجليدي وبالتالي حدوث الضرر.

على عكس الترانزستورات وIGBT، فإن وحدات MOSFET ذات القدرة لديها القدرة على مقاومة الانهيار الجليدي، والعديد من شركات أشباه الموصلات الكبيرة التي تعمل بالطاقة الانهيارية MOSFET في خط الإنتاج هي الفحص الكامل، والكشف بنسبة 100٪، أي أنه في البيانات يعد هذا قياسًا مضمونًا لجهد الانهيار يحدث عادة في 1.2 ~ 1.3 مرة BVDSS، ومدة الوقت عادة μs، حتى مستوى مللي ثانية، ثم المدة قليلة فقط أو عشرات نانوثانية، أقل بكثير من الجهد النبضي ارتفاع الجهد الانهيار لا ضرر على السلطة MOSFET.

ستة، عن طريق اختيار محرك الجهد VTH

الأنظمة الإلكترونية المختلفة لجهد المحرك المحدد لـ MOSFETs ليست هي نفسها، عادةً ما يستخدم مصدر طاقة التيار المتردد / التيار المستمر جهد محرك 12 فولت، ومحول DC / DC اللوحة الأم للكمبيوتر المحمول يستخدم جهد محرك 5 فولت، لذلك وفقًا لجهد محرك النظام لتحديد جهد عتبة مختلف دوائر الطاقة VTH MOSFETs.

كما أن جهد العتبة VTH لوحدات MOSFET الخاصة بالطاقة في ورقة البيانات قد حدد أيضًا ظروف الاختبار وله قيم مختلفة في ظل ظروف مختلفة، وVTH له معامل درجة حرارة سالب. تتوافق الفولتية المختلفة للمحرك VGS مع مقاومات التشغيل المختلفة، وفي التطبيقات العملية من المهم مراعاة درجة الحرارة

في التطبيقات العملية، يجب أن تؤخذ التغيرات في درجات الحرارة في الاعتبار لضمان تشغيل الطاقة MOSFET بالكامل، مع التأكد في الوقت نفسه من أن النبضات المتصاعدة المقترنة بالقطب G أثناء عملية إيقاف التشغيل لن يتم تشغيلها عن طريق إطلاق كاذب لـ إنتاج دارة مستقيمة أو ماس كهربائى.