تحليل أسباب عدم فعالية MOSFET

1، غالبًا ما يُقال إن فشل الجهد التسرب بين مصدر جهد BVdss يتجاوز الجهد المقنن للموسفيت، ويتجاوز قدرة معينة ليؤدي إلى فشل mosfet.

2، الفشل الحالي الذي يتجاوز نطاق العمل الآمن mosfet وغير الصالح، والذي ينقسم إلى معرف يتجاوز مواصفات الجهاز والفشل الناجم عن معرفه كبير جدًا، وتآكل عالي مما يؤدي إلى تراكم حراري طويل الأمد الجهاز والفشل.

3، في الجسر، LLC وغيرها من الصمامات الفعالة للجسم لتنفيذ الطوبولوجيا الحالية، لأن الصمام الثنائي للجسم قد تم تدميره وغير صالح.

4، في عملية التطبيق المتوازي، البوابة مع المعلمات الطفيلية الدائرة تؤدي إلى تقلبات سوف يسبب فشل الرنين.

5، في بيئة جافة، لأن جسم الإنسان والمعدات والكهرباء الساكنة التي يولدها الجهاز ستؤدي إلى عدم فعالية الكهرباء الساكنة.

6. جهد البوابة غير صالح بسبب ذروة جهد التشغيل غير الطبيعي عند البوابة.

ما سبق يعتمد علىموسفيتتحليل أسباب الفشل، نقوم بإجراء عمليات المعالجة المقابلة، وهناك مشكلات أخرى مرحب بها للتشاور معنا عبر الإنترنت، يمكن لشركة Guanhua Weiye أن توفر لك إجابات فعالة وموقف خدمة عالي الجودة.
com.olukeyالشركة من أجل البقاء الائتماني، والالتزام بهدف "الجودة أولاً، الخدمة أولاً" والعديد من شركات التكنولوجيا الفائقة في الداخل والخارج، المصنع الأصلي لإقامة علاقة عمل جيدة، مع سنوات عديدة من الخبرة المهنية في التوزيع، مع ائتمان جيد، خدمة ممتازة، وإمكانية الوصول إلى نطاق واسع من الثقة والدعم.