WSD3023DN56 N-Ch وP-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

وصف قصير:

رقم الموديل:WSD3023DN56

بفدس:30 فولت/-30 فولت

ردسون:14mΩ/23mΩ

بطاقة تعريف:14 أ/-12 أ

قناة:N-Ch وقناة P

طَرد:DFN5*6-8

ملخص المنتج:الجهد الكهربي لـ WSD3023DN56 MOSFET هو 30V/-30V، والتيار هو 14A/-12A، والمقاومة 14mΩ/23mΩ، والقناة هي N-Ch وP-Channel، والحزمة هي DFN5*6-8.

التطبيقات:الطائرات بدون طيار والمحركات وإلكترونيات السيارات والأجهزة الرئيسية.

إرسال البريد الإلكتروني لنا قوات الدفاع الشعبي

تفاصيل المنتج

طلب

علامات المنتج

الوصف العام

إن WSD3023DN56 هو أعلى أداء للخنادق N-ch وP-ch MOSFETs مع كثافة خلايا عالية للغاية، والتي توفر شحن RDSON وبوابة ممتاز لمعظم تطبيقات محول باك المتزامن. يلبي WSD3023DN56 متطلبات RoHS والمنتجات الخضراء بنسبة 100% EAS مضمونة مع موثوقية الوظائف الكاملة المعتمدة.

سمات

تقنية الخندق المتقدمة عالية الكثافة للخلايا، شحن البوابة المنخفض للغاية، انخفاض تأثير CdV/dt ممتاز، ضمان EAS بنسبة 100%، الجهاز الأخضر متاح.

التطبيقات

محول باك متزامن لنقطة التحميل عالية التردد لـ MB/NB/UMPC/VGA، نظام طاقة الشبكة DC-DC، عاكس الضوء الخلفي CCFL، الطائرات بدون طيار، المحركات، إلكترونيات السيارات، الأجهزة الرئيسية.

رقم المادة المقابلة

بانجيت PJQ5606

المعلمات الهامة

رمز	المعلمة	تصنيف		الوحدات
رمز	المعلمة	N-الفصل	ف-الفصل	الوحدات
VDS	استنزاف مصدر الجهد	30	-30	V
VGS	بوابة مصدر الجهد	±20	±20	V
ID	تيار التصريف المستمر، VGS(NP)=10V، Ta=25°C	14*	-12	A
ID	تيار التصريف المستمر، VGS(NP)=10V، Ta=70°C	7.6	-9.7	A
النازحين أ	تم اختبار تيار التصريف النبضي، VGS(NP)=10 فولت	48	-48	A
شرق آسيا ج	طاقة الانهيار الجليدي، نبضة واحدة، L=0.5mH	20	20	mJ
معايير المحاسبة الدولية ج	تيار الانهيار الجليدي، نبضة واحدة، L=0.5mH	9	-9	A
PD	إجمالي تبديد الطاقة، Ta=25°C	5.25	5.25	W
TSTG	نطاق درجة حرارة التخزين	-55 إلى 175	-55 إلى 175	درجه مئوية
TJ	نطاق درجة حرارة تقاطع التشغيل	175	175	درجه مئوية
ركجا ب	المقاومة الحرارية - تقاطع مع الحالة المحيطة والمستقرة	60	60	درجة مئوية/ث
RqJC	المقاومة الحرارية - تقاطع مع الحالة، حالة ثابتة	6.25	6.25	درجة مئوية/ث

رمز	المعلمة	شروط	دقيقة.	اكتب.	الأعلى.	وحدة
بفدس	استنزاف مصدر انهيار الجهد	VGS=0V، المعرف=250uA	30	---	---	V
RDS (تشغيل) د	مقاومة مصدر التصريف الثابت	VGS=10V، المعرف=8A	---	14	18.5	مΩ
RDS (تشغيل) د	مقاومة مصدر التصريف الثابت	VGS = 4.5 فولت، المعرف = 5 أمبير	---	17	25	مΩ
VGS (ال)	عتبة البوابة الجهد	VGS=VDS، المعرف=250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	استنزاف مصدر التسرب الحالي	VDS=20V، VGS=0V، TJ=25°C	---	---	1	uA
IDSS	استنزاف مصدر التسرب الحالي	VDS=20V، VGS=0V، TJ=85°C	---	---	30	uA
اي جي اس اس	بوابة مصدر التسرب الحالي	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	مقاومة البوابة	VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	إجمالي رسوم البوابة	VDS=15V، VGS=4.5V، IDS=8A	---	5.2	---	nC
QGSE	تهمة مصدر البوابة		---	1.0	---
كغد	تهمة استنزاف البوابة		---	2.8	---
تد (على) ه	وقت تأخير التشغيل	VDD=15V، RL=15R، IDS=1A، VGEN=10V، RG=6R.	---	6	---	ns
تري	وقت الصعود		---	8.6	---
Td (إيقاف) ه	وقت تأخير إيقاف التشغيل		---	16	---
TFE	وقت الخريف		---	3.6	---
سيسي	سعة الإدخال	VDS=15V، VGS=0V، f=1MHz	---	545	---	pF
كوس	سعة الإخراج		---	95	---
كروس	عكس نقل السعة		---	55	---