WSD100N15DN56G N-channel 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

رقم الجزء:WSD100N15DN56G

بفدس:150 فولت

بطاقة تعريف:100 أ

ردسون:6mΩ

قناة:قناة N

طَرد:DFN5X6-8

تفاصيل المنتج

الجهد الكهربي لـ WSD100N15DN56G MOSFET هو 150 فولت، والتيار 100 أمبير، والمقاومة 6mΩ، والقناة هي قناة N، والحزمة هي DFN5X6-8.

إمدادات الطاقة الطبية MOSFET، PDs MOSFET، الطائرات بدون طيار MOSFET، السجائر الإلكترونية MOSFET، الأجهزة الرئيسية MOSFET، والأدوات الكهربائية MOSFET.

رمز	المعلمة	تصنيف	الوحدات
VDS	استنزاف مصدر الجهد	150	V
VGS	بوابة مصدر الجهد	±20	V
ID	تيار التصريف المستمر، V_GS@ 10 فولت (ت_C=25 درجة مئوية)	100	A
IDM	تيار التصريف النبضي	360	A
شرق آسيا	طاقة الانهيار الجليدي ذات النبضة الواحدة	400	mJ
P_D	إجمالي تبديد الطاقة..._C=25 درجة مئوية)	160	W
RθJA	المقاومة الحرارية، تقاطع المحيطة	62	درجة مئوية/ث
RθJC	المقاومة الحرارية، حالة الوصلة	0.78	درجة مئوية/ث
TSTG	نطاق درجة حرارة التخزين	-55 إلى 175	درجه مئوية
T_J	نطاق درجة حرارة تقاطع التشغيل	-55 إلى 175	درجه مئوية

رمز	المعلمة	شروط	دقيقة.	اكتب.	الأعلى.	وحدة
BV_{مفاجآت صيف دبي}	استنزاف مصدر انهيار الجهد	V_GS=0V، أنا_D=250uA	150	---	---	V
RDS (تشغيل)	مقاومة مصدر التصريف الثابت²	V_GS=10 فولت، أنا_D=20 أ	---	9	12	مΩ
VGS (ال)	عتبة البوابة الجهد	V_GS=V_DS، أنا_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	استنزاف مصدر التسرب الحالي	V_DS=100 فولت، الخامس_GS=0 فولت، ت_J=25 درجة مئوية	---	---	1	uA
اي جي اس اس	بوابة مصدر التسرب الحالي	V_GS=±20 فولت، فولت_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	إجمالي رسوم البوابة	V_DS=50 فولت، الخامس_GS=10 فولت، أنا_D=20 أ	---	66	---	nC
Q_gs	تهمة مصدر البوابة		---	26	---
Q_gd	تهمة استنزاف البوابة		---	18	---
تد (على)	وقت تأخير التشغيل	V_DD=50 فولت،V_GS=10 فولت R_G=2Ω، I_D=20 أ	---	37	---	ns
T_r	وقت الصعود		---	98	---
تد (إيقاف)	وقت تأخير إيقاف التشغيل		---	55	---
T_f	وقت الخريف		---	20	---
C_{محطة الفضاء الدولية}	سعة الإدخال	V_DS=30 فولت، الخامس_GS=0V ، f=1MHz	---	5450	---	pF
كوس	سعة الإخراج		---	1730	---
C_{آر إس إس}	عكس نقل السعة		---	195	---